Ab transistor ttc5200
Elenco ab transistor ttc5200
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Caratteristiche:utilizzare 12 coppie di transistor audio dedicato ttc5200, uscita parallela tta1943per perseguire la massima risoluzione, la scheda dellamplificatore di potenza adotta una struttura mono (livello di spinta + livello di potenza)se lavori a lungo, devi aggiungere una ventola di raffreddamentola scheda è progettata con un sofisticato circuito di protezione completo: protezione da sovracorrente e cortocircuito in uscita, utilizzando un circuito di campionamento a pinza flottante avanzatocon perfetta protezione da sovratensione, protezione da sovraccarico, protezione da cortocircuito in uscitaincluso radiatoreusato 2(si consiglia dc dual 100vspecifiche:tensione duso: doppia cc 40-135v0mm fr-4 pcb a doppia faccia di alta qualità , film metallico 1% di errore ad alta precisione taiwan ha importato resistenza, piccoli condensatori tutti utilizzano condensatori originali, accoppiamento con condensatori avanzatipotenza900w) il circuito di protezione richiede unalimentazione separatapotenza in uscita: 1500 wrisposta in frequenza: +0db/-0,8db (20hz~20khz)distorsione armonica totale: 0,1% 8ω 20hz~20khzrapporto segnale/rumore: (20hz--20khz): ponderazione a, uscita a piena potenza 98dbrisposta istantanea dellorso: 25 v/μscoefficiente di smorzamento 8ω: 10hz-400hz: 200diafonia tra i canali: 1khz: -76db / 20khz: -58dbimpedenza di ingresso: 20kω (bilanciato)/10kω (sbilanciato)sensibilità in ingresso: potenza nominale 1,25v/4ωdimensioni della piastra di spinta (l x l
Italia
9619000244140625 €
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Descrizione:il pacchetto contiene quanto segue:20 Ă— bc337 bipolare (bjt) npn transistor, 45 v 800 ma 100 mhz 625 mw foro passante-92-320 Ă— bc327 transistor pnp bipolare (bjt), 45 v 800 ma 100 mhz 625 mw foro passante-92-320 Ă— 2n2222 bipolare (bjt) npn transistor, 40 v 600 ma 200 mhz 625 mw foro passante-92-320 Ă— 2n2907 transistor pnp bipolare (bjt) 40 v 600ma 200 mhz 625 mw foro passante-92-320 Ă— 2n3904 bipolare (bjt) npn transistor, 40 v 200 ma 200 mhz 625 mw foro passante-92-320 Ă— 2n3906 transistor pnp bipolare (bjt) 40 v 200 ma 200 mhz 625 mw foro passante-92-320 Ă— s8050 bipolare (bjt) npn transistor 25 v 0,5 a 100 mhz 1 w foro passante-92-320 Ă— s8550 transistor pnp bipolare (bjt) 25 v 0,5 a 100 mhz 1 w foro passante-92-320 Ă— a1015 transistor pnp bipolare (bjt) 50 v 150 ma 80 mhz 400 mw foro passante-92-320 Ă— c1815 bipolare (bjt) npn transistor 50 v 150 ma 80 mhz 400 mw foro passante-92-3il pacchetto include:200 x transistor
Italia
4550000190734863 €
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5: misurazione del fattore di amplificazione della corrente del transistor bipolare e della tensione di soglia base-emettitore3: rileva automaticamente npn, transistor bipolari pnp, canale n e canale p mos fet,jfet, diodi, due diodi, tiristori di piccola potenza unidirezionale e tiristore bidirezionale01mh-20h• rilevamento automatico di transistor npn e pnp, mosfet a canale n e canale p,diodo (incluso doppio diodo), tiristore, transistor, resistore e condensatore e altri componenti• test automatico del pin di un componente e visualizzazione sul lcd• può rilevare il transistor, coefficiente di amplificazione del diodo di protezione mosfete la base per determinare la tensione di polarizzazione diretta del transistor di emettitore• misurare il gate e la capacità del gate della tensione di soglia mosfet• utilizzare un display a cristalli liquidi 12864 con retroilluminazione verdespecifiche: 1: one -funzionamento a pulsante, spegnimento automatico• usando una batteria da 9v (non incluso)• induttori, condensatori, diodi, doppio diodo, mos, transistor, scr, regolatore, tubo led, esr,• resistenza, potenziometro regolabile• resistenza: risoluzione 0,1 ohm, massimo 50m ohm• condensatore: 25pf -1004: disposizione dei pin dei componenti di identificazione automaticacaratteristiche:• grande display retroilluminato lcd 128*64, solo 2 ma in stand by6: tramite la tensione di soglia base-emettitore e lelevato fattore di amplifi000 uf• induttori: 02: corrente di spegnimento solo 20 na
Italia
12 €
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Rilevamento automatico di transistor bipolari pnp e npn, mosfet a canale n, p, transistor ad effetto di campo jfet, diodi, doppi diodi, scr, resistori, condensatori e induttorii diodi di protezione allinterno dei transistor bipolari e dei mosfet possono essere rilevati e visualizzati sullo schermomisurare il fattore di amplificazione della corrente (b) del transistor bipolare e la tensione di conduzione (uf) della giunzione dellemettitorei transistor darlington possono essere identificati da una tensione di soglia elevata e da un fattore di amplificazione ad alta correntedescrizione:campo di misura: rilevamento automatico di transistor bipolari pnp e npn, mosfet a canale n e p, tubi a effetto di campo jfet, diodi, doppi diodi, scr, resistenza, capacità e induttanzalintervallo di misurazione della capacità va da 25pf a 100mf (100misurare la tensione di soglia e la capacità di gate del mosfetcaratteristiche:1se il potenziometro è regolato su unestremità di esso, il tester non è in grado di distinguere i perni al centro ed entrambe le estremità supportare la misurazione di due resistenze e anche il potenziometro può essere misuratooperazione di misurazione con un tasto, spegnimento automatico dopo il ritardorileva automaticamente le definizioni dei pinla risoluzione della misurazione della resistenza è 0,1 ohm e il valore di misurazione più alto è 50 m ohmla corrente di spegnimento è di soli 20na, che supporta il funzionamento a batteria
Italia
13670000076293945 €